PD20010-E

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Numéro d'article PD20010-E
LIXINC Part # PD20010-E
Fabricant STMicroelectronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - rf
Description TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO PD20010-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 15 - Sep 19 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

PD20010-E Caractéristiques

Numéro d'article:PD20010-E
Marque:STMicroelectronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:STMicroelectronics
série:-
emballer:Tube
état de la pièce:Active
à transistors:LDMOS
fréquence:2GHz
gagner:11dB
tension - test:13.6 V
courant nominal (ampères):5A
figure de bruit:-
courant - test:150 mA
puissance - sortie:10W
tension - nominale:40 V
paquet / caisse:PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
paquet de dispositif de fournisseur:PowerSO-10RF (Formed Lead)

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