NE5550779A-T1-A | Rochester Electronics NE5550779A-T1-A | NE5550779A-T1-A Inventory, Best Pricing

NE5550779A-T1-A

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Numéro d'article	NE5550779A-T1-A
LIXINC Part #	NE5550779A-T1-A
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NE5550779A-T1-A Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 20 - Sep 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NE5550779A-T1-A Caractéristiques

Numéro d'article:	NE5550779A-T1-A
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	LDMOS
fréquence:	900MHz
gagner:	22dB
tension - test:	7.5 V
courant nominal (ampères):	2.1A
figure de bruit:	-
courant - test:	140 mA
puissance - sortie:	38.5dBm
tension - nominale:	30 V
paquet / caisse:	4-SMD, Flat Leads
paquet de dispositif de fournisseur:	79A