3SK293(TE85L,F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 3SK293(TE85L,F)

3SK293(TE85L,F)

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Numéro d'article	3SK293(TE85L,F)
LIXINC Part #	3SK293(TE85L,F)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	FET RF 12.5V 800MHZ USQ
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	3SK293(TE85L,F) Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

3SK293(TE85L,F) Caractéristiques

Numéro d'article:	3SK293(TE85L,F)
Marque:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	N-Channel Dual Gate
fréquence:	800MHz
gagner:	22dB
tension - test:	6 V
courant nominal (ampères):	30mA
figure de bruit:	2.5dB
courant - test:	10 mA
puissance - sortie:	-
tension - nominale:	12.5 V
paquet / caisse:	SC-82A, SOT-343
paquet de dispositif de fournisseur:	USQ