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2SJ266-DL-E

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Numéro d'article	2SJ266-DL-E
LIXINC Part #	2SJ266-DL-E
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	PCH 4V DRIVE SERIES
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SJ266-DL-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 21 - Sep 25 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SJ266-DL-E Caractéristiques

Numéro d'article:	2SJ266-DL-E
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	*
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	-
fréquence:	-
gagner:	-
tension - test:	-
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	-
puissance - sortie:	-
tension - nominale:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

STAC2942BW	TRANS RF PWR N-CH 350W STAC244B	860 Plus sur la commande
BLC8G27LS-210PVY	RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513	906 Plus sur la commande
BF904A,215	MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143	3801 Plus sur la commande
BF2040E6814	RF N-CHANNEL MOSFET	10702 Plus sur la commande
BLM7G1822S-80PBGY	RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122	935 Plus sur la commande
MRF6VP3091NBR1	FET RF 2CH 115V 860MHZ TO272-4	851 Plus sur la commande
BLS7G3135L-350P,11	RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539A	856 Plus sur la commande
BLF9G38LS-90PU	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B	1015 Plus sur la commande
NE3512S02-T1C-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	6354 Plus sur la commande
WP2806045UH	RF GAN HEMT 28V DC ~ 6GHZ, 45W	896 Plus sur la commande
NPT1012B	HEMT N-CH 28V 25W DC-4000MHZ	928 Plus sur la commande
ARF461BG	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	1000 Plus sur la commande
CGH40025F	RF MOSFET HEMT 28V 440166	1437 Plus sur la commande