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MRF8P20140WGHSR3

MRF8P20140WGHSR3
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Numéro d'article MRF8P20140WGHSR3
LIXINC Part # MRF8P20140WGHSR3
Fabricant NXP Semiconductors
Catégorie semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MRF8P20140WGHSR3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MRF8P20140WGHSR3 Caractéristiques

Numéro d'article:MRF8P20140WGHSR3
Marque:NXP Semiconductors
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:NXP Semiconductors
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
à transistors:LDMOS (Dual)
fréquence:1.88GHz ~ 1.91GHz
gagner:16dB
tension - test:28 V
courant nominal (ampères):-
figure de bruit:-
courant - test:500 mA
puissance - sortie:24W
tension - nominale:65 V
paquet / caisse:NI-780S-4
paquet de dispositif de fournisseur:NI-780S-4

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