A2V09H400-04NR3

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Numéro d'article	A2V09H400-04NR3
LIXINC Part #	A2V09H400-04NR3
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	A2V09H400-04NR3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

A2V09H400-04NR3 Caractéristiques

Numéro d'article:	A2V09H400-04NR3
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	LDMOS
fréquence:	720MHz ~ 960MHz
gagner:	17.9dB
tension - test:	48 V
courant nominal (ampères):	10µA
figure de bruit:	-
courant - test:	688 mA
puissance - sortie:	107W
tension - nominale:	105 V
paquet / caisse:	OM-780-4L
paquet de dispositif de fournisseur:	OM-780-4L

A2V09H400-04NR3 Documents

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