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MW6S010GNR1

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Numéro d'article	MW6S010GNR1
LIXINC Part #	MW6S010GNR1
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MW6S010GNR1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MW6S010GNR1 Caractéristiques

Numéro d'article:	MW6S010GNR1
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	LDMOS
fréquence:	960MHz
gagner:	18dB
tension - test:	28 V
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	125 mA
puissance - sortie:	10W
tension - nominale:	68 V
paquet / caisse:	TO-270BA
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-270-2 GULL

BLF8G10LS-270,118	RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B	968 Plus sur la commande
BLF8G22LS-270V,118	RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244B	950 Plus sur la commande
BLP05H6110XRGY	RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242	911 Plus sur la commande
BLF8G27LS-150VU	RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B	867 Plus sur la commande
MCH3456-TL-E	NCH 1.8V DRIVE SERIES	87910 Plus sur la commande
A2G26H281-04SR3	AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR	933 Plus sur la commande
2SJ277-DL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	2920 Plus sur la commande
BLF2425M7LS250P:11	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539B	871 Plus sur la commande
STAC4933	MOSF RF N CH 200V 40A STAC177B	880 Plus sur la commande
BF256B	RF SMALL SIGNAL FIELDCHANNEL, JU	829 Plus sur la commande
MRF1K50HR5	HIGH POWER RF TRANSISTOR	896 Plus sur la commande
PD85004	FET RF 40V 870MHZ	888 Plus sur la commande
MWT-173	FET RF 5V 12GHZ PKG 73	1653 Plus sur la commande