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2SJ637-E

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Numéro d'article	2SJ637-E
LIXINC Part #	2SJ637-E
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	PCH 4V DRIVE SERIES
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SJ637-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SJ637-E Caractéristiques

Numéro d'article:	2SJ637-E
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	*
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	-
fréquence:	-
gagner:	-
tension - test:	-
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	-
puissance - sortie:	-
tension - nominale:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

BLF888A,112	RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A	897 Plus sur la commande
AFT09MS031NR1	FET RF 40V 870MHZ TO-270-2	1184 Plus sur la commande
BLF6G27-75,112	RF TRANSISTOR	976 Plus sur la commande
NE3513M04-T2B-A	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	4860836 Plus sur la commande
BLC10G15XS-301AVTZ	BLC10G15XS-301AVT/SOT1275/TRAYDP	950 Plus sur la commande
BLA1011-2,112	RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A	998 Plus sur la commande
BF511,215	JFET N-CH 20V 30MA SOT23	1108 Plus sur la commande
MRF136	FET RF 65V 400MHZ 211-07	1117 Plus sur la commande
MMRF1312GSR5	TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V	986 Plus sur la commande
PD55035-E	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	971 Plus sur la commande
BLM7G1822S-80ABY	RF FET LDMOS 65V 31DB SOT12111	932 Plus sur la commande
CGHV60075D5-GP4	RF MOSFET HEMT 50V DIE	907 Plus sur la commande
3SK291(TE85L,F)	MOSFET N-CH SMQ	993 Plus sur la commande