MCH3414-EBM-TL-E | Rochester Electronics MCH3414-EBM-TL-E | MCH3414-EBM-TL-E Inventory, Best Pricing

MCH3414-EBM-TL-E

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Numéro d'article	MCH3414-EBM-TL-E
LIXINC Part #	MCH3414-EBM-TL-E
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	NCH 4V DRIVE SERIES
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	MCH3414-EBM-TL-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

MCH3414-EBM-TL-E Caractéristiques

Numéro d'article:	MCH3414-EBM-TL-E
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	*
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	-
fréquence:	-
gagner:	-
tension - test:	-
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	-
puissance - sortie:	-
tension - nominale:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

MRF6V4300NBR5	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1435 Plus sur la commande
PD57018STR-E	TRANSISTOR RF POWERSO-10	1341 Plus sur la commande
BLF9G20LS-160VU	RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B	1014 Plus sur la commande
CGHV40030F	RF MOSFET HEMT 50V 440166	2280 Plus sur la commande
PD54008TR-E	TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF	922 Plus sur la commande
A2T21H360-24SR6	IC TRANS RF LDMOS	918 Plus sur la commande
MD7P19130HR3	RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL	3049 Plus sur la commande
MRF6S21190HR3	RF S BAND, N-CHANNEL	910 Plus sur la commande
MRF6VP41KHR5	RF N-CHANNEL, MOSFET	1381 Plus sur la commande
CGH25120F	120W GAN HEMT 28V 2.5-2.7GHZ FET	1031 Plus sur la commande
A2T27S007NT1	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	853 Plus sur la commande
MMBFJ309	RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA	4896 Plus sur la commande
LET9045C	MOSFET N-CH 80V 9A M-250	937 Plus sur la commande