MRFE8VP8600HSR5

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Numéro d'article MRFE8VP8600HSR5
LIXINC Part # MRFE8VP8600HSR5
Fabricant NXP Semiconductors
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - rf
Description BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO MRFE8VP8600HSR5 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 22 - Oct 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MRFE8VP8600HSR5 Caractéristiques

Numéro d'article:MRFE8VP8600HSR5
Marque:NXP Semiconductors
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:NXP Semiconductors
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Active
à transistors:LDMOS
fréquence:860MHz
gagner:21dB
tension - test:50 V
courant nominal (ampères):20µA
figure de bruit:-
courant - test:1.4 A
puissance - sortie:140W
tension - nominale:115 V
paquet / caisse:NI-1230-4S
paquet de dispositif de fournisseur:NI-1230-4S

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