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2SJ659-DL-E

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Numéro d'article	2SJ659-DL-E
LIXINC Part #	2SJ659-DL-E
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	PCH 4V DRIVE SERIES
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	2SJ659-DL-E Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 19 - Oct 23 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

2SJ659-DL-E Caractéristiques

Numéro d'article:	2SJ659-DL-E
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	*
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	-
fréquence:	-
gagner:	-
tension - test:	-
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	-
puissance - sortie:	-
tension - nominale:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

A2T08VD020NT1	AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO	923 Plus sur la commande
64-9142PBF	64-9142PBF - MOSFET	928 Plus sur la commande
NTD15N06AVT4	NFET DPAK 60V 0.120R TR	836 Plus sur la commande
2SK1726-TD-E	NCH 4V DRIVE SERIES	26978 Plus sur la commande
PD57060TR-E	FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10	1000 Plus sur la commande
MRF6V12500GSR5	PULSED LATERAL N-CHANNEL RF POWE	924 Plus sur la commande
MMRF1007HSR5	FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S	822 Plus sur la commande
2SK404E-AC	NCH J-FET	3380 Plus sur la commande
2SK932-23-N-TB-E	NCH J-FET	15812 Plus sur la commande
STAC0912-250	250W 36V 960-1215 MHZ LDMOS TRAN	845 Plus sur la commande
PTVA093002ND-V1-R5	IC RF FET LDMOS 300W PG-HB1SOF-4	988 Plus sur la commande
VEC2610-TL-E	PCH+NCH 1.8V DRIVE SERIES	630937 Plus sur la commande
GTVA107001EC-V1	700W, GAN HEMT, 50V, 0.9-1.2GHZ	893 Plus sur la commande

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.47000	$0.47

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