NDD05N50Z-1G9 | Rochester Electronics NDD05N50Z-1G9 | NDD05N50Z-1G9 Inventory, Best Pricing

NDD05N50Z-1G9

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Numéro d'article	NDD05N50Z-1G9
LIXINC Part #	NDD05N50Z-1G9
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	NFET DPAK 500V 4.7A 1.5OH
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NDD05N50Z-1G9 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 19 - Oct 23 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NDD05N50Z-1G9 Caractéristiques

Numéro d'article:	NDD05N50Z-1G9
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	*
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
à transistors:	-
fréquence:	-
gagner:	-
tension - test:	-
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	-
puissance - sortie:	-
tension - nominale:	-
paquet / caisse:	-
paquet de dispositif de fournisseur:	-

ON5234118	NOW NEXPERIA ON5234 0, D2PAK	892 Plus sur la commande
ARF469AG	RF MOSFET N-CHANNEL 150V TO-264	956 Plus sur la commande
ART35FEU	ART35FE/SOT467/TRAY	864 Plus sur la commande
VEC2820-TL-E	NCH+NCH 1.8 DRIVE SERIES	108975 Plus sur la commande
PXAE1837078NB-V1-R2	SI LDMOS AMP 300W 1805-1880MHZ	826 Plus sur la commande
AFV09P350-04GNR3	RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	1177 Plus sur la commande
BLA6H1011-600,112-AMP	RF PFET, 2-ELEMENT, L BAND, SILI	830 Plus sur la commande
MWT-PH11F	MEDPOWER ALGAAS/INGAAS PHEMT	1004 Plus sur la commande
MRF8S18210WGHSR3	FET RF 65V 1.93GHZ NI880XGS	851 Plus sur la commande
2SK3707-1EX	NCH 4V DRIVE SERIES	1556 Plus sur la commande
MCH3321-TL-E	PCH 4V DRIVE SERIES	922 Plus sur la commande
3LN01SP-AC	NCH 1.5V DRIVE SERIES	93495 Plus sur la commande
ECH8301-TL-E	P CHANNEL SILICON MOS FET	93528 Plus sur la commande

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Qty.	Unit Price	Ext. Price
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