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A2T18S261W12NR3

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Numéro d'article A2T18S261W12NR3
LIXINC Part # A2T18S261W12NR3
Fabricant NXP Semiconductors
Catégorie semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO A2T18S261W12NR3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

A2T18S261W12NR3 Caractéristiques

Numéro d'article:A2T18S261W12NR3
Marque:NXP Semiconductors
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:NXP Semiconductors
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
à transistors:LDMOS
fréquence:1.805GHz ~ 1.88GHz
gagner:18.2dB
tension - test:28 V
courant nominal (ampères):10µA
figure de bruit:-
courant - test:1.5 A
puissance - sortie:280W
tension - nominale:65 V
paquet / caisse:OM-880X-2L2L
paquet de dispositif de fournisseur:OM-880X-2L2L

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