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AFT21H350W04GSR6

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Numéro d'article AFT21H350W04GSR6
LIXINC Part # AFT21H350W04GSR6
Fabricant NXP Semiconductors
Catégorie semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description FET RF 2CH 65V 2.11GHZ
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO AFT21H350W04GSR6 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 20 - Oct 24 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

AFT21H350W04GSR6 Caractéristiques

Numéro d'article:AFT21H350W04GSR6
Marque:NXP Semiconductors
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:NXP Semiconductors
série:-
emballer:Tape & Reel (TR)
état de la pièce:Obsolete
à transistors:LDMOS
fréquence:2.11GHz
gagner:16.4dB
tension - test:28 V
courant nominal (ampères):-
figure de bruit:-
courant - test:750 mA
puissance - sortie:63W
tension - nominale:65 V
paquet / caisse:NI-1230S-4 GW
paquet de dispositif de fournisseur:NI-1230S-4 GULL

AFT21H350W04GSR6 Documents

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