A2G22S160-01SR3 | NXP Semiconductors A2G22S160-01SR3 | A2G22S160-01SR3 Inventory, Best Pricing

A2G22S160-01SR3

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Numéro d'article	A2G22S160-01SR3
LIXINC Part #	A2G22S160-01SR3
Fabricant	NXP Semiconductors
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - rf
Description	IC TRANS RF LDMOS
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	A2G22S160-01SR3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 23 - Oct 27 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

A2G22S160-01SR3 Caractéristiques

Numéro d'article:	A2G22S160-01SR3
Marque:	NXP Semiconductors
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - rf
Fabricant:	NXP Semiconductors
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Obsolete
à transistors:	-
fréquence:	2.11GHz
gagner:	19.6dB
tension - test:	48 V
courant nominal (ampères):	-
figure de bruit:	-
courant - test:	150 mA
puissance - sortie:	32W
tension - nominale:	125 V
paquet / caisse:	NI-400S-2S
paquet de dispositif de fournisseur:	NI-400S-2S

	PTAC260302SCV1XWSA2	IC AMP RF LDMOS H-37248H-4	987 Plus sur la commande
	PTFB262406EV1XWSA1	IC FET RF LDMOS	841 Plus sur la commande

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