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Numéro d'article | BSP149H6906XTSA1 |
LIXINC Part # | BSP149H6906XTSA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | BSP149H6906XTSA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 03 - Jul 07 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | BSP149H6906XTSA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | SIPMOS® |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 200 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 660mA (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 0V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 1.8Ohm @ 660mA, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 1V @ 400µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 14 nC @ 5 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 430 pF @ 25 V |
fonction fet: | Depletion Mode |
puissance dissipée (max): | 1.8W (Ta) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-SOT223-4 |
paquet / caisse: | TO-261-4, TO-261AA |
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PMV170UN,215 | MOSFET N-CH 20V 1A TO236AB | 36819 Plus sur la commande |
En stock | 19480 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.23000 | $1.23 |
1000 | $0.62368 | $623.68 |
2000 | $0.58640 | $1172.8 |
5000 | $0.56030 | $2801.5 |
10000 | $0.54165 | $5416.5 |
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