APT18M100S

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Numéro d'article APT18M100S
LIXINC Part # APT18M100S
Fabricant Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 1000V 18A D3PAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO APT18M100S Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Jul 07 - Jul 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

APT18M100S Caractéristiques

Numéro d'article:APT18M100S
Marque:Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Roving Networks / Microchip Technology
série:POWER MOS 8™
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):1000 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:18A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:700mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:150 nC @ 10 V
vg (max):±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:4845 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):625W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D3PAK
paquet / caisse:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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