NVBLS0D5N04M8TXG

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Numéro d'article NVBLS0D5N04M8TXG
LIXINC Part # NVBLS0D5N04M8TXG
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NVBLS0D5N04M8TXG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 06 - Oct 10 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
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NVBLS0D5N04M8TXG Caractéristiques

Numéro d'article:NVBLS0D5N04M8TXG
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:Automotive, AEC-Q101
emballer:Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Not For New Designs
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:300A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:0.57mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:296 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:15900 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):429W (Tj)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-HPSOF
paquet / caisse:8-PowerSFN

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