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Numéro d'article | BSZ110N06NS3GATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ110N06NS3GATMA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | BSZ110N06NS3GATMA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | BSZ110N06NS3GATMA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | OptiMOS™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 60 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 20A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 11mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 4V @ 23µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 33 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 2700 pF @ 30 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 2.1W (Ta), 50W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TSDSON-8 |
paquet / caisse: | 8-PowerVDFN |
BUK6218-40C,118 | PFET, 42A I(D), 40V, 0.028OHM, 1 | 877 Plus sur la commande |
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IRFR222 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1744 Plus sur la commande |
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SQJA60EP-T1_BE3 | MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8 | 3890 Plus sur la commande |
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RTL035N03FRATR | MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 | 6751 Plus sur la commande |
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IXFN50N50 | MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B | 819 Plus sur la commande |
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AOD4S60 | MOSFET N-CH 600V 4A TO252 | 5579 Plus sur la commande |
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SIHB12N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK | 972 Plus sur la commande |
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TJ10S04M3L,LXHQ | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK | 2738 Plus sur la commande |
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STF23NM50N | MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP | 1878 Plus sur la commande |
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TSM060N03CP ROG | MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252 | 7281 Plus sur la commande |
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STD8N60DM2 | MOSFET N-CH 600V 8A DPAK | 3230 Plus sur la commande |
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IRFB4310ZPBF | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 2946 Plus sur la commande |
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HUF76445S3S | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK | 1404 Plus sur la commande |
En stock | 22541 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.88000 | $0.88 |
5000 | $0.33059 | $1652.95 |
10000 | $0.31835 | $3183.5 |
25000 | $0.31167 | $7791.75 |
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