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RJK0366DPA-02#J0B

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Numéro d'article	RJK0366DPA-02#J0B
LIXINC Part #	RJK0366DPA-02#J0B
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 25A 8WPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RJK0366DPA-02#J0B Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RJK0366DPA-02#J0B Caractéristiques

Numéro d'article:	RJK0366DPA-02#J0B
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	-
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	25A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	6.8 nC @ 4.5 V
vg (max):	-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1.01 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	30W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-WPAK
paquet / caisse:	8-WFDFN Exposed Pad