IRLD014PBF | Vishay / Siliconix IRLD014PBF | IRLD014PBF Inventory, Best Pricing

IRLD014PBF

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Numéro d'article	IRLD014PBF
LIXINC Part #	IRLD014PBF
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IRLD014PBF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IRLD014PBF Caractéristiques

Numéro d'article:	IRLD014PBF
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.7A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4V, 5V
rds sur (max) @ id, vgs:	200mOhm @ 1A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	8.4 nC @ 5 V
vg (max):	±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	400 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.3W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
paquet / caisse:	4-DIP (0.300", 7.62mm)