RM5N650LD | Rectron USA RM5N650LD | RM5N650LD Inventory, Best Pricing

RM5N650LD

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	RM5N650LD
LIXINC Part #	RM5N650LD
Fabricant	Rectron USA
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CHANNEL 650V 5A TO252-2
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	RM5N650LD Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

RM5N650LD Caractéristiques

Numéro d'article:	RM5N650LD
Marque:	Rectron USA
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rectron USA
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	900mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	460 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	49W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252-2
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63