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SCT30N120

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Numéro d'article	SCT30N120
LIXINC Part #	SCT30N120
Fabricant	STMicroelectronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SCT30N120 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SCT30N120 Caractéristiques

Numéro d'article:	SCT30N120
Marque:	STMicroelectronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	STMicroelectronics
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):	1200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	40A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	20V
rds sur (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 1mA (Typ)
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	105 nC @ 20 V
vg (max):	+25V, -10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1700 pF @ 400 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	270W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	HiP247™
paquet / caisse:	TO-247-3