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Numéro d'article | SI4442DY-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI4442DY-T1-GE3 |
Fabricant | Vishay / Siliconix |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 30V 15A 8SO |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | SI4442DY-T1-GE3 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | SI4442DY-T1-GE3 |
Marque: | Vishay / Siliconix |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
série: | TrenchFET® |
emballer: | Tape & Reel (TR) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 30 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 15A (Ta) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 2.5V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 4.5mOhm @ 22A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 1.5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 50 nC @ 4.5 V |
vg (max): | ±12V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | - |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 1.6W (Ta) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 8-SO |
paquet / caisse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
DMS3014SFGQ-13 | MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8 | 894 Plus sur la commande |
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IXFA14N60P-TRL | MOSFET N-CH 600V 14A TO263 | 1647 Plus sur la commande |
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NTD3055L170-001 | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK | 4010 Plus sur la commande |
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FQPF3N80C | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F | 942 Plus sur la commande |
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AUIRLR120NTRL | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK | 3767 Plus sur la commande |
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STL25N15F3 | MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT | 4129 Plus sur la commande |
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IPT60R150G7XTMA1 | MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF | 2896 Plus sur la commande |
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SI3465DV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3A 6TSOP | 980 Plus sur la commande |
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PHT6N06LT,135 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 427937 Plus sur la commande |
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DMT12H007LPS-13 | MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8 | 3089 Plus sur la commande |
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FQPF17N08 | MOSFET N-CH 80V 11.2A TO220F | 3893 Plus sur la commande |
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IRFR220BTM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15758 Plus sur la commande |
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2SK3821-E | MOSFET N-CH 100V 40A SMP | 19592 Plus sur la commande |
En stock | 10997 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.69500 | $1.695 |
2500 | $1.69500 | $4237.5 |
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