R6030ENZ4C13 | ROHM Semiconductor R6030ENZ4C13 | R6030ENZ4C13 Inventory, Best Pricing

R6030ENZ4C13

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Numéro d'article	R6030ENZ4C13
LIXINC Part #	R6030ENZ4C13
Fabricant	ROHM Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	R6030ENZ4C13 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

R6030ENZ4C13 Caractéristiques

Numéro d'article:	R6030ENZ4C13
Marque:	ROHM Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	ROHM Semiconductor
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	30A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	130mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2100 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	305W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247
paquet / caisse:	TO-247-3