3N164 DIE

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Numéro d'article 3N164 DIE
LIXINC Part # 3N164 DIE
Fabricant Linear Integrated Systems, Inc.
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO 3N164 DIE Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

3N164 DIE Caractéristiques

Numéro d'article:3N164 DIE
Marque:Linear Integrated Systems, Inc.
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Linear Integrated Systems, Inc.
série:-
emballer:Tray
état de la pièce:Active
type fet:P-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:50mA
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):20V
rds sur (max) @ id, vgs:300Ohm @ 100µA, 20V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 10µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:-
vg (max):-6.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:3.5 pF @ 15 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):-
température de fonctionnement:-
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:Die
paquet / caisse:Die

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