IMZ120R045M1XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IMZ120R045M1XKSA1 | IMZ120R045M1XKSA1 Inventory, Best Pricing

IMZ120R045M1XKSA1

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Numéro d'article	IMZ120R045M1XKSA1
LIXINC Part #	IMZ120R045M1XKSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IMZ120R045M1XKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IMZ120R045M1XKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IMZ120R045M1XKSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	CoolSiC™
emballer:	Tray
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):	1200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	52A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	15V
rds sur (max) @ id, vgs:	59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.7V @ 10mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	52 nC @ 15 V
vg (max):	+20V, -10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1900 pF @ 800 V
fonction fet:	Current Sensing
puissance dissipée (max):	228W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO247-4-1
paquet / caisse:	TO-247-4