FDD120AN15A0-F085

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Numéro d'article FDD120AN15A0-F085
LIXINC Part # FDD120AN15A0-F085
Fabricant Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO FDD120AN15A0-F085 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 11 - Oct 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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FDD120AN15A0-F085 Caractéristiques

Numéro d'article:FDD120AN15A0-F085
Marque:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):150 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:14A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:120mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:743 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):65W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:D-PAK (TO-252)
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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