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Numéro d'article | IPAW60R190CEXKSA1 |
LIXINC Part # | IPAW60R190CEXKSA1 |
Fabricant | IR (Infineon Technologies) |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 600V 26.7A TO220 |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | IPAW60R190CEXKSA1 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | IPAW60R190CEXKSA1 |
Marque: | IR (Infineon Technologies) |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | IR (Infineon Technologies) |
série: | CoolMOS™ |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 600 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 26.7A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 190mOhm @ 9.5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.5V @ 630µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 63 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 1400 pF @ 100 V |
fonction fet: | Super Junction |
puissance dissipée (max): | 34W (Tc) |
température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO220 Full Pack |
paquet / caisse: | TO-220-3 Full Pack |
IXFP26N50P3 | MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB | 837 Plus sur la commande |
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NTP2955 | MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB | 974 Plus sur la commande |
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NVMFS5C442NLWFT3G | MOSFET N-CH 40V 27A/127A 5DFN | 938 Plus sur la commande |
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SCH1439-TL-H | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6SCH | 160617 Plus sur la commande |
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ZVN4306A | MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 | 5986 Plus sur la commande |
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SI2304BDS-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3 | 15355 Plus sur la commande |
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ZXMN10A11GTA | MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223 | 483919884 Plus sur la commande |
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NTMS4800NR2G | MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC | 25048 Plus sur la commande |
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IRF9333TRPBF | MOSFET P-CH 30V 9.2A 8SO | 925 Plus sur la commande |
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AON7442 | MOSFET N-CHANNEL 30V 50A 8DFN | 976 Plus sur la commande |
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IXFK36N60 | MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA | 915 Plus sur la commande |
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CSD19531Q5AT | MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON | 1045 Plus sur la commande |
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IXTN210P10T | MOSFET P-CH 100V 210A SOT227B | 933 Plus sur la commande |
En stock | 11610 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.10000 | $2.1 |
10 | $1.91091 | $19.1091 |
450 | $1.39684 | $628.578 |
900 | $1.12682 | $1014.138 |
1350 | $1.04324 | $1408.374 |
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