IPAN60R360P7SXKSA1

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Numéro d'article IPAN60R360P7SXKSA1
LIXINC Part # IPAN60R360P7SXKSA1
Fabricant IR (Infineon Technologies)
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IPAN60R360P7SXKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IPAN60R360P7SXKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:IPAN60R360P7SXKSA1
Marque:IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:IR (Infineon Technologies)
série:CoolMOS™ P7
emballer:Tube
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:9A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):10V
rds sur (max) @ id, vgs:360mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 140µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:13 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:555 pF @ 400 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):22W (Tc)
température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:PG-TO220 Full Pack
paquet / caisse:TO-220-3 Full Pack

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