IPAN65R650CEXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPAN65R650CEXKSA1 | IPAN65R650CEXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPAN65R650CEXKSA1

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Numéro d'article	IPAN65R650CEXKSA1
LIXINC Part #	IPAN65R650CEXKSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPAN65R650CEXKSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPAN65R650CEXKSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPAN65R650CEXKSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	CoolMOS™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	10.1A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 210µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
fonction fet:	Super Junction
puissance dissipée (max):	28W (Tc)
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO220 Full Pack
paquet / caisse:	TO-220-3 Full Pack