NTTFS4H05NTAG

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Numéro d'article NTTFS4H05NTAG
LIXINC Part # NTTFS4H05NTAG
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 25V 22.4A/94A 8WDFN
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NTTFS4H05NTAG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 08 - Oct 12 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTTFS4H05NTAG Caractéristiques

Numéro d'article:NTTFS4H05NTAG
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:22.4A (Ta), 94A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.1V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:18.9 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.205 pF @ 12 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):2.66W (Ta), 46.3W (Tc)
température de fonctionnement:150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-WDFN (3.3x3.3)
paquet / caisse:8-PowerWDFN

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