CSD17309Q3 | Texas Instruments CSD17309Q3 | CSD17309Q3 Inventory, Best Pricing

CSD17309Q3

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	CSD17309Q3
LIXINC Part #	CSD17309Q3
Fabricant	Texas Instruments
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 20A/60A 8VSON
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	CSD17309Q3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

CSD17309Q3 Caractéristiques

Numéro d'article:	CSD17309Q3
Marque:	Texas Instruments
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Texas Instruments
série:	NexFET™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	20A (Ta), 60A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	3V, 8V
rds sur (max) @ id, vgs:	5.4mOhm @ 18A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	1.7V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	10 nC @ 4.5 V
vg (max):	+10V, -8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1440 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.8W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
paquet / caisse:	8-PowerTDFN