CSD18512Q5BT

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Numéro d'article CSD18512Q5BT
LIXINC Part # CSD18512Q5BT
Fabricant Texas Instruments
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO CSD18512Q5BT Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 09 - Oct 13 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

CSD18512Q5BT Caractéristiques

Numéro d'article:CSD18512Q5BT
Marque:Texas Instruments
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Texas Instruments
série:NexFET™
emballer:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:211A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:98 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:7120 pF @ 20 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):139W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-VSON-CLIP (5x6)
paquet / caisse:8-PowerTDFN

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