FQT13N06LTF | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQT13N06LTF

FQT13N06LTF

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	FQT13N06LTF
LIXINC Part #	FQT13N06LTF
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FQT13N06LTF Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

FQT13N06LTF Caractéristiques

Numéro d'article:	FQT13N06LTF
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	QFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	2.8A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	110mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	6.4 nC @ 5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	350 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	2.1W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-223-4
paquet / caisse:	TO-261-4, TO-261AA