N0412N-S19-AY | Renesas Electronics America N0412N-S19-AY | N0412N-S19-AY Inventory, Best Pricing

N0412N-S19-AY

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Numéro d'article	N0412N-S19-AY
LIXINC Part #	N0412N-S19-AY
Fabricant	Renesas Electronics America
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 40V 100A TO220
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	N0412N-S19-AY Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 10 - Oct 14 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

N0412N-S19-AY Caractéristiques

Numéro d'article:	N0412N-S19-AY
Marque:	Renesas Electronics America
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Renesas Electronics America
série:	-
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	100A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5550 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.5W (Ta), 119W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220
paquet / caisse:	TO-220-3