BUK9Y8R7-60E,115 | Nexperia BUK9Y8R7-60E,115 | BUK9Y8R7-60E,115 Inventory, Best Pricing

BUK9Y8R7-60E,115

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Numéro d'article	BUK9Y8R7-60E,115
LIXINC Part #	BUK9Y8R7-60E,115
Fabricant	Nexperia
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BUK9Y8R7-60E,115 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Oct 11 - Oct 15 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

BUK9Y8R7-60E,115 Caractéristiques

Numéro d'article:	BUK9Y8R7-60E,115
Marque:	Nexperia
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Nexperia
série:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	86A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 5 V
vg (max):	±10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4570 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	147W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	LFPAK56, Power-SO8
paquet / caisse:	SC-100, SOT-669