NVMYS021N06CLTWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMYS021N06CLTWG

NVMYS021N06CLTWG

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Numéro d'article	NVMYS021N06CLTWG
LIXINC Part #	NVMYS021N06CLTWG
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 9.8A/27A 4LFPAK
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NVMYS021N06CLTWG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NVMYS021N06CLTWG Caractéristiques

Numéro d'article:	NVMYS021N06CLTWG
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	Automotive, AEC-Q101
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	9.8A (Ta), 27A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	21mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 16µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	5 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	410 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.8W (Ta), 28W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	4-LFPAK
paquet / caisse:	SOT-1023, 4-LFPAK