PHD97NQ03LT,118

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Numéro d'article PHD97NQ03LT,118
LIXINC Part # PHD97NQ03LT,118
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO PHD97NQ03LT,118 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
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PHD97NQ03LT,118 Caractéristiques

Numéro d'article:PHD97NQ03LT,118
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:TrenchMOS™
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):25 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:75A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:6.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.15V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:11.7 nC @ 4.5 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1570 pF @ 12 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):107W (Ta)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:DPAK
paquet / caisse:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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