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Numéro d'article | STF11N60DM2 |
LIXINC Part # | STF11N60DM2 |
Fabricant | STMicroelectronics |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | STF11N60DM2 Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Jul 07 - Jul 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | ![]() |
Expédition | ![]() |
Numéro d'article: | STF11N60DM2 |
Marque: | STMicroelectronics |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | STMicroelectronics |
série: | MDmesh™ DM2 |
emballer: | Tube |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 600 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 10A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 420mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 5V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 16.5 nC @ 10 V |
vg (max): | ±25V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 614 pF @ 100 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 25W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Through Hole |
paquet de dispositif de fournisseur: | TO-220FP |
paquet / caisse: | TO-220-3 Full Pack |
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En stock | 12902 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.67000 | $1.67 |
10 | $1.51706 | $15.1706 |
100 | $1.23677 | $123.677 |
500 | $0.98154 | $490.77 |
1000 | $0.82839 | $828.39 |
3000 | $0.77734 | $2332.02 |
5000 | $0.75182 | $3759.1 |
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