HUFA76407D3

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Numéro d'article HUFA76407D3
LIXINC Part # HUFA76407D3
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO HUFA76407D3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Oct 07 - Oct 11 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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HUFA76407D3 Caractéristiques

Numéro d'article:HUFA76407D3
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:UltraFET™
emballer:Tube
état de la pièce:Obsolete
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:12A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:92mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:11.3 nC @ 10 V
vg (max):±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:350 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):38W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:I-PAK
paquet / caisse:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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