BSS123NH6327XTSA1 | IR (Infineon Technologies) BSS123NH6327XTSA1 | BSS123NH6327XTSA1 Inventory, Best Pricing

BSS123NH6327XTSA1

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Numéro d'article	BSS123NH6327XTSA1
LIXINC Part #	BSS123NH6327XTSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	BSS123NH6327XTSA1 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

BSS123NH6327XTSA1 Caractéristiques

Numéro d'article:	BSS123NH6327XTSA1
Marque:	IR (Infineon Technologies)
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
série:	OptiMOS™
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	190mA (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:	1.8V @ 13µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	0.9 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	20.9 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	500mW (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SOT-23-3
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3