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Numéro d'article | CSD19538Q2T |
LIXINC Part # | CSD19538Q2T |
Fabricant | Texas Instruments |
Catégorie | semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples |
Description | MOSFET N-CH 100V 13.1A 6WSON |
Cycle de vie | Actif |
RoHS | Aucune information RoHS |
Modèles EDA/CAO | CSD19538Q2T Empreinte et symbole PCB |
Entrepôts | États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong |
Délai de livraison estimé | Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée) |
garantie | Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]* |
Paiement | |
Expédition |
Numéro d'article: | CSD19538Q2T |
Marque: | Texas Instruments |
Cycle de vie: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Catégorie: | semi-conducteur discret |
Sous-catégorie: | transistors - fets, mosfets - simples |
Fabricant: | Texas Instruments |
série: | NexFET™ |
emballer: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
état de la pièce: | Active |
type fet: | N-Channel |
technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
tension drain-source (vdss): | 100 V |
courant - drain continu (id) @ 25°c: | 13.1A (Tc) |
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé): | 6V, 10V |
rds sur (max) @ id, vgs: | 59mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (max) @ id: | 3.8V @ 250µA |
charge de grille (qg) (max) @ vgs: | 5.6 nC @ 10 V |
vg (max): | ±20V |
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds: | 454 pF @ 50 V |
fonction fet: | - |
puissance dissipée (max): | 2.5W (Ta), 20.2W (Tc) |
température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage: | Surface Mount |
paquet de dispositif de fournisseur: | 6-WSON (2x2) |
paquet / caisse: | 6-WDFN Exposed Pad |
BUK9M34-100EX | MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33 | 831 Plus sur la commande |
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AON6368 | MOSFET N-CH 30V 25A/52A 8DFN | 3532 Plus sur la commande |
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AOWF600A60 | MOSFET N-CH 600V 8A TO262F | 1859 Plus sur la commande |
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STI26NM60N | MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK | 807 Plus sur la commande |
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TN2640N3-G | MOSFET N-CH 400V 220MA TO92-3 | 1950 Plus sur la commande |
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IRFU014PBF | MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA | 3103 Plus sur la commande |
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DMG4812SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 8A 8SO | 895 Plus sur la commande |
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BSC016N04LSGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON | 985 Plus sur la commande |
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NDP6020P | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 1824 Plus sur la commande |
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PMN27UP,115 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 939 Plus sur la commande |
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IPP60R070CFD7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 | 892 Plus sur la commande |
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PMPB15XPH | MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6 | 944 Plus sur la commande |
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FDI150N10 | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK | 5561769 Plus sur la commande |
En stock | 18140584 - Plus sur la commande |
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Limite de devis | Sans limites |
Délai de mise en œuvre | Être confirmé |
Le minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.68000 | $0.68 |
250 | $0.47942 | $119.855 |
500 | $0.40800 | $204 |
750 | $0.35701 | $267.7575 |
1250 | $0.32640 | $408 |
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