APT28M120B2 | Roving Networks / Microchip Technology APT28M120B2

APT28M120B2

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Numéro d'article	APT28M120B2
LIXINC Part #	APT28M120B2
Fabricant	Roving Networks / Microchip Technology
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	APT28M120B2 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 22 - Sep 26 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

APT28M120B2 Caractéristiques

Numéro d'article:	APT28M120B2
Marque:	Roving Networks / Microchip Technology
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Roving Networks / Microchip Technology
série:	POWER MOS 8™
emballer:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	1200 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	29A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	560mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 2.5mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	300 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	9670 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1135W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	T-MAX™ [B2]
paquet / caisse:	TO-247-3 Variant