FDC645N | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDC645N

FDC645N

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Numéro d'article	FDC645N
LIXINC Part #	FDC645N
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	FDC645N Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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Expédition

FDC645N Caractéristiques

Numéro d'article:	FDC645N
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	PowerTrench®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	5.5A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 6.2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	21 nC @ 4.5 V
vg (max):	±12V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1460 pF @ 15 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.6W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	SuperSOT™-6
paquet / caisse:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6