NVTFS5820NLTAG

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Numéro d'article NVTFS5820NLTAG
LIXINC Part # NVTFS5820NLTAG
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description 60V, 0.0115OHM, N-CHANNEL, MOSF
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO NVTFS5820NLTAG Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 25 - Sep 29 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
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NVTFS5820NLTAG Caractéristiques

Numéro d'article:NVTFS5820NLTAG
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:11A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:11.5mOhm @ 8.7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:28 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:1.462 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):3.2W (Ta), 21W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:8-WDFN (3.3x3.3)
paquet / caisse:8-PowerWDFN

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