IPW65R095C7 | Rochester Electronics IPW65R095C7 | IPW65R095C7 Inventory, Best Pricing

IPW65R095C7

Agrandir

Pour référence seulement

Numéro d'article	IPW65R095C7
LIXINC Part #	IPW65R095C7
Fabricant	Rochester Electronics
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	IPW65R095C7 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

IPW65R095C7 Caractéristiques

Numéro d'article:	IPW65R095C7
Marque:	Rochester Electronics
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Rochester Electronics
série:	CoolMOS™ C7
emballer:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	24A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	-
rds sur (max) @ id, vgs:	95mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 590µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	45 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2140 pF @ 400 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	128W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO247
paquet / caisse:	TO-247-3