NVC3S5A51PLZT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVC3S5A51PLZT1G

NVC3S5A51PLZT1G

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Numéro d'article	NVC3S5A51PLZT1G
LIXINC Part #	NVC3S5A51PLZT1G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	NVC3S5A51PLZT1G Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 26 - Sep 30 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

NVC3S5A51PLZT1G Caractéristiques

Numéro d'article:	NVC3S5A51PLZT1G
Marque:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
série:	-
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	P-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	1.8A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	250mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	262 pF @ 20 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	1.2W (Ta)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	3-CPH
paquet / caisse:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3