SQ4850EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQ4850EY-T1_GE3 | SQ4850EY-T1

SQ4850EY-T1_GE3

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Numéro d'article	SQ4850EY-T1_GE3
LIXINC Part #	SQ4850EY-T1_GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Catégorie	semi-conducteur discret › transistors - fets, mosfets - simples
Description	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Cycle de vie	Actif
RoHS	Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO	SQ4850EY-T1_GE3 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts	États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé	Sep 27 - Oct 01 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
garantie	Jusqu'à 1 an [Garantie limitée]*
Paiement
Expédition

SQ4850EY-T1_GE3 Caractéristiques

Numéro d'article:	SQ4850EY-T1_GE3
Marque:	Vishay / Siliconix
Cycle de vie:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:	semi-conducteur discret
Sous-catégorie:	transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:	Vishay / Siliconix
série:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
emballer:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	60 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	12A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	22mOhm @ 6A, 5V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1250 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	6.8W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-SO
paquet / caisse:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

APT10M19BVRG	MOSFET N-CH 100V 75A TO247	941 Plus sur la commande
IPA60R199CPXKSA1	MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP	902 Plus sur la commande
BUK7212-55B,118	MOSFET N-CH 55V 75A DPAK	903 Plus sur la commande
EPC2039	GANFET N-CH 80V 6.8A DIE	89945 Plus sur la commande
AON6510	MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN	1311 Plus sur la commande
IRF840LCSTRRPBF	MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB	939 Plus sur la commande
2SK209-Y(TE85L,F)	MOSFET N-CH 10V 14MA SC59	12305 Plus sur la commande
PSMN130-200D,118-NEX	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	967 Plus sur la commande
PMZB670UPE,315	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3	30391 Plus sur la commande
STW21NM60ND	MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3	1046 Plus sur la commande
SQ1470AEH-T1_GE3	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70	6396 Plus sur la commande
UPA2521T1H-T2-AT	MOSFET N-CH 30V 8A 8VSOF	84836 Plus sur la commande
SSM6J502NU,LF	MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB	3053 Plus sur la commande