IRF830

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Numéro d'article IRF830
LIXINC Part # IRF830
Fabricant Rochester Electronics
Catégorie semi-conducteur discrettransistors - fets, mosfets - simples
Description MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3
Cycle de vie Actif
RoHS Aucune information RoHS
Modèles EDA/CAO IRF830 Empreinte et symbole PCB
Entrepôts États-Unis, Europe, Chine, RAS de Hong Kong
Délai de livraison estimé Sep 28 - Oct 02 2024(Choisissez l'expédition accélérée)
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IRF830 Caractéristiques

Numéro d'article:IRF830
Marque:Rochester Electronics
Cycle de vie:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Catégorie:semi-conducteur discret
Sous-catégorie:transistors - fets, mosfets - simples
Fabricant:Rochester Electronics
série:-
emballer:Bulk
état de la pièce:Active
type fet:N-Channel
technologie:MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):500 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:4.5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):-
rds sur (max) @ id, vgs:1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:32 nC @ 10 V
vg (max):±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:600 pF @ 25 V
fonction fet:-
puissance dissipée (max):75W (Tc)
température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:TO-220-3
paquet / caisse:TO-220-3

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